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Stmicroelectronic

Transistor NPN 125V 60A BUR50

Référence produit : BUR50
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Caractéristiques techniques

5 paramètres
Tension collecteur-émetteur (Vceo)125V
Courant collecteur (Ic)60A
Gain en courant continu (hFE)10 (min)
Tension collecteur-émetteur de saturation (Vce(sat))1.5V (max)
Fréquence de transition (fT)2.5 MHz (min)

Description technique du produit (BUR50):

Transistor NPN 125V 60A BUR50. Transistor de puissance bipolaire NPN en silicium conçu pour les applications de commutation à courant élevé.