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ON Semiconductor

Transistor NPN 120V 50A MJ11016G

Référence produit : MJ11016G
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La quantité doit être un multiple de 10. La valeur a été ajustée.
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Caractéristiques techniques

4 paramètres
Tension collecteur-émetteur (Vceo)120 V
Courant collecteur (Ic)50 A
Gain en courant continu (hFE)1000 (min) à 25 A
Tension collecteur-émetteur de saturation (Vce(sat))2.5 V (max) à 25 A

Description technique du produit (MJ11016G):

Transistor NPN 120V 50A MJ11016G. Le MJ11016G est un transistor de puissance Darlington NPN conçu pour les applications de commutation et d'amplification à courant élevé.