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On Semiconductor
Transistor NPN 100V 6A MJD42C1G
Référence produit : MJD42C1G
Prix dégressifs — Économisez en quantité
| Quantité | Prix unitaire | Economisez |
|---|---|---|
| 1 – 19 | 0.66 € | — |
| 20 – 39 | 0.37 € | -44% |
| 40 – 74 | 0.34 € | -48% |
| 75+Meilleur prix | 0.34 € | -48% |
Caractéristiques techniques
5 paramètres| Tension collecteur-émetteur (Vceo) | 100 V |
| Courant collecteur continu (Ic) | 6 A |
| Gain en courant continu (hFE) | 20 (min) |
| Tension collecteur-émetteur de saturation (Vce(sat)) | 1.5 V (max) |
| Fréquence de transition (fT) | 4 MHz (typ) |
Description technique du produit (MJD42C1G):
Transistor NPN 100V 6A MJD42C1G. Transistor de puissance bipolaire NPN conçu pour les applications de commutation et d'amplification de puissance. Il offre une capacité de courant élevée et une tension de claquage robuste.