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Mitsubishi Electric Semiconductor
Transistor NPN 100V 5A 2SD712
Référence produit : 2SD712
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| Quantité | Prix unitaire | Economisez |
|---|---|---|
| 1+Meilleur prix | 1.01 € | — |
Caractéristiques techniques
5 paramètres| Tension collecteur-émetteur (Vceo) | 100V |
| Courant collecteur (Ic) | 5A |
| Gain en courant continu (hFE) | 40-320 |
| Tension collecteur-émetteur de saturation (Vce(sat)) | 1.5V (max) à Ic=3A |
| Fréquence de transition (fT) | 10MHz (typ) |
Description technique du produit (2SD712):
Transistor NPN 100V 5A 2SD712. Transistor bipolaire NPN de puissance conçu pour les applications de commutation et d'amplification.