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Transistor NPN 100V 50A MJ11032G

Référence produit : MJ11032G
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Caractéristiques techniques

4 paramètres
Tension collecteur-émetteur (Vceo)100 V
Courant collecteur (Ic)50 A
Gain en courant continu (hFE)1000 (min)
Tension de saturation collecteur-émetteur (Vce(sat))2.5 V

Description technique du produit (MJ11032G):

Transistor NPN 100V 50A MJ11032G. Transistor de puissance Darlington NPN conçu pour les applications de commutation et d'amplification de puissance.