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On Semiconductor
Transistor NPN 100V 3A MJD31CG
Référence produit : MJD31CG
Prix dégressifs — Économisez en quantité
| Quantité | Prix unitaire | Economisez |
|---|---|---|
| 1 – 19 | 1.19 € | — |
| 20 – 49 | 0.84 € | -29% |
| 50 – 74 | 0.76 € | -36% |
| 75 – 149 | 0.67 € | -44% |
| 150 – 299 | 0.61 € | -49% |
| 300+Meilleur prix | 0.59 € | -50% |
Caractéristiques techniques
4 paramètres| Tension collecteur-émetteur (Vceo) | 100 V |
| Courant collecteur continu (Ic) | 3 A |
| Gain en courant continu (hFE) | 10-100 (min @ 1A) |
| Tension collecteur-émetteur à saturation (Vce(sat)) | 1.2 V (max @ Ic=3A, Ib=0.3A) |
Description technique du produit (MJD31CG):
Transistor NPN 100V 3A MJD31CG. Le MJD31CG est un transistor bipolaire NPN de puissance moyenne, conçu pour des applications de commutation et d'amplification générales. Il est encapsulé dans un boîtier DPAK, adapté aux applications de montage en surface nécessitant une dissipation thermique modérée.