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Transistor NPN 100V 3A BD241C

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Caractéristiques techniques

5 paramètres
Tension collecteur-émetteur (Vceo)100 V
Tension collecteur-base (Vcbo)100 V
Courant collecteur (Ic)3 A
Gain en courant continu (hFE)25 (min)
Tension collecteur-émetteur de saturation (Vce(sat))1.2 V (max)

Description technique du produit (BD241C):

Transistor NPN 100V 3A BD241C. Transistor bipolaire NPN de puissance, conçu pour les applications de commutation et d'amplification de puissance.