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Transistor NPN 100V 16A BDT65C

Référence produit : BDT65C
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Caractéristiques techniques

4 paramètres
Tension collecteur-émetteur (Vceo)100 V
Courant collecteur continu (Ic)16 A
Gain en courant continu (hFE)1000 (min) à Ic=8A
Tension de saturation collecteur-émetteur (Vce(sat))2.5 V (max) à Ic=8A

Description technique du produit (BDT65C):

Transistor NPN 100V 16A BDT65C. Le BDT65C est un transistor bipolaire NPN Darlington de puissance, conçu pour des applications de commutation et d'amplification de courant élevé. Il offre un gain en courant très élevé, ce qui le rend idéal pour piloter des charges importantes avec un faible courant de base.