En stock
Onsemi
Transistor NPN 100V 10A BDW47G
Référence produit : BDW47G
Prix dégressifs — Économisez en quantité
| Quantité | Prix unitaire | Economisez |
|---|---|---|
| 1 – 49 | 2.52 € | — |
| 50+Meilleur prix | 2.10 € | -17% |
Caractéristiques techniques
6 paramètres| Tension collecteur-émetteur (Vceo) | 100V |
| Courant collecteur (Ic) | 10A |
| Gain en courant continu (hFE) | 750 (min) |
| Tension collecteur-émetteur de saturation (Vce(sat)) | 2.5V |
| Fréquence de transition (fT) | 4MHz |
| Boîtier | TO-220 |
Description technique du produit (BDW47G):
Transistor NPN 100V 10A BDW47G. Transistor Darlington NPN de puissance conçu pour les applications de commutation et d'amplification à gain élevé.