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Vishay (ir)
Transistor MOSFET canal P -900V -4.1A IRFPF50PBF
Référence produit : IRFPF50PBF
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| Quantité | Prix unitaire | Economisez |
|---|---|---|
| 1+Meilleur prix | 6.31 € | — |
Caractéristiques techniques
5 paramètres| Tension drain-source | -900V |
| Courant de drain continu | -4.1A |
| Résistance à l'état passant | 3.2 Ohm |
| Tension de seuil de grille | -3.0V à -5.0V |
| Charge de grille totale | 110 nC |
Description technique du produit (IRFPF50PBF):
Transistor MOSFET canal P -900V -4.1A IRFPF50PBF. Transistor MOSFET de puissance à canal P conçu pour les applications de commutation haute tension.