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Infineon Technologies

Transistor MOSFET canal P -60V -8.2A SPP08P06P

Référence produit : SPP08P06P
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Caractéristiques techniques

5 paramètres
Tension drain-source-60 V
Courant de drain-8.2 A
Résistance à l'état passant Rds(on)0.28 Ohm
Tension de seuil Vgs(th)-2.1 V
Charge de grille Qg15 nC

Description technique du produit (SPP08P06P):

Transistor MOSFET canal P -60V -8.2A SPP08P06P. Transistor MOSFET à canal P conçu pour des applications de commutation de puissance.