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Toshiba

Transistor MOSFET canal P -60V -30A 2SJ407

Référence produit : 2SJ407
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Caractéristiques techniques

5 paramètres
Tension drain-source-60V
Courant de drain-30A
Résistance à l'état passant0.035 Ohm
Tension de seuil de grille-source-2.0V à -4.0V
Charge de grille40 nC

Description technique du produit (2SJ407):

Transistor MOSFET canal P -60V -30A 2SJ407. Transistor MOSFET de puissance à canal P conçu pour les applications de commutation à haute vitesse et de gestion de puissance.