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Infineon
Transistor MOSFET canal P -60V -1.9A BSP295H6327
Référence produit : BSP295H6327
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| Quantité | Prix unitaire | Economisez |
|---|---|---|
| 1 – 24 | 1.88 € | — |
| 25+Meilleur prix | 1.31 € | -30% |
Caractéristiques techniques
5 paramètres| Tension drain-source | -60 V |
| Courant de drain continu | -1.9 A |
| Résistance à l'état passant | 0.22 Ohm |
| Tension de seuil | -2.0 V à -4.0 V |
| Charge de grille | 10 nC |
Description technique du produit (BSP295H6327):
Transistor MOSFET canal P -60V -1.9A BSP295H6327. Transistor MOSFET à canal P en mode d'enrichissement, conçu pour des applications de commutation et de gestion de puissance.