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Infineon

Transistor MOSFET canal P -60V -1.9A BSP171P

Référence produit : BSP171P
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Caractéristiques techniques

4 paramètres
Tension drain-source-60V
Courant de drain-1.9A
Résistance à l'état passant200mΩ
Tension de seuil-2V à -4V

Description technique du produit (BSP171P):

Transistor MOSFET canal P -60V -1.9A BSP171P. MOSFET de puissance à canal P en mode d'enrichissement, conçu pour des applications de commutation et de gestion de puissance.