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ON Semiconductor

Transistor MOSFET canal P -60V -0.61A NDS0610

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Référence produit : NDS0610
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Caractéristiques techniques

5 paramètres
Tension drain-source-60 V
Courant de drain continu-0.61 A
Résistance à l'état passant0.8 Ohm
Tension de seuil de grille-1 V à -3 V
Charge de grille totale2.5 nC

Description technique du produit (NDS0610):

Transistor MOSFET canal P -60V -0.61A NDS0610. Transistor MOSFET à canal P en mode d'enrichissement, conçu pour des applications de commutation et de gestion de puissance.

. Vendu par lot de 5 (le prix affiché est pour un lot de 5)