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Onsemi (fairchild)
Transistor MOSFET canal P -60V -0.5A FDN5618P
Référence produit : FDN5618P
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| Quantité | Prix unitaire | Economisez |
|---|---|---|
| 1 – 24 | 1.57 € | — |
| 25+Meilleur prix | 1.24 € | -21% |
Caractéristiques techniques
5 paramètres| Tension drain-source | -60V |
| Courant de drain | -0.5A |
| Résistance à l'état passant | 1.2 Ohm (max) |
| Tension de seuil | -1V à -3V |
| Charge de grille | 1.5nC (typ) |
Description technique du produit (FDN5618P):
Transistor MOSFET canal P -60V -0.5A FDN5618P. MOSFET de puissance à canal P, conçu pour les applications de commutation de charge et de gestion de l'énergie. Il offre une faible résistance à l'état passant et une tension de seuil basse.