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Transistor MOSFET canal P -55V -20A IRF9Z34N

Référence produit : IRF9Z34N
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Caractéristiques techniques

5 paramètres
Tension drain-source-55V
Courant de drain continu-20A
Résistance à l'état passant Rds(on)0.085 Ohm
Tension de seuil de grille Vgs(th)-2.0V à -4.0V
Charge de grille totale Qg28 nC

Description technique du produit (IRF9Z34N):

Transistor MOSFET canal P -55V -20A IRF9Z34N. MOSFET de puissance HEXFET à canal P, conçu pour des applications nécessitant une commutation rapide et une faible résistance à l'état passant.