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Transistor MOSFET canal P -55V -19A IRF9Z34NS

Référence produit : IRF9Z34NS
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Caractéristiques techniques

5 paramètres
Tension drain-source (Vds)-55V
Courant de drain continu (Id)-19A
Résistance à l'état passant (Rds(on))0.10 Ohm
Tension de seuil de grille (Vgs(th))-2V à -4V
Charge de grille (Qg)30 nC

Description technique du produit (IRF9Z34NS):

Transistor MOSFET canal P -55V -19A IRF9Z34NS. Le IRF9Z34NS est un MOSFET de puissance à canal P conçu pour des applications de commutation rapide nécessitant une faible résistance à l'état passant. Il est encapsulé dans un boîtier TO-263 (D2PAK) pour montage en surface.