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Infineon Technologies

Transistor MOSFET canal P -55V -11A IRF9Z24NPBF

Référence produit : IRF9Z24NPBF
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Caractéristiques techniques

5 paramètres
Tension drain-source-55V
Courant de drain continu-11A
Résistance à l'état passant0.175 Ohm
Tension de seuil de grille-2.0V à -4.0V
Charge de grille totale20 nC

Description technique du produit (IRF9Z24NPBF):

Transistor MOSFET canal P -55V -11A IRF9Z24NPBF. Transistor MOSFET de puissance à canal P, conçu pour des applications de commutation rapide et de gestion de puissance.