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Transistor MOSFET canal P -50V -0.13A BSS84LT1G-PD
Référence produit : BSS84LT1G-PD
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|---|---|---|
| 1 – 99 | 0.26 € | — |
| 100+Meilleur prix | 0.13 € | -50% |
Caractéristiques techniques
5 paramètres| Tension drain-source | -50V |
| Courant de drain continu | -130mA |
| Résistance à l'état passant | 10 Ohm (max) à Vgs = -10V |
| Tension de seuil | -1.5V (typique) |
| Charge de grille | 1.5 nC (typique) |
Description technique du produit (BSS84LT1G-PD):
Transistor MOSFET canal P -50V -0.13A BSS84LT1G-PD. Le BSS84LT1G-PD est un transistor MOSFET à canal P en mode d'enrichissement, conçu pour des applications de commutation de faible puissance. Il offre une faible résistance à l'état passant et une tension de seuil basse, le rendant idéal pour les circuits logiques et la commutation générale.