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Transistor MOSFET canal P -45V -1.9A BSP250

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Référence produit : BSP250
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Caractéristiques techniques

6 paramètres
Tension drain-source-45V
Courant de drain continu-1.9A
Résistance à l'état passant0.2 Ohm
Tension de seuil de grille-source-2V à -4V
Charge de grille totale5.5 nC
BoîtierSOT-223

Description technique du produit (BSP250):

Transistor MOSFET canal P -45V -1.9A BSP250. Transistor MOSFET de puissance à canal P, conçu pour des applications de commutation et de gestion de puissance. Il offre une faible résistance à l'état passant et une commutation rapide.

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