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Transistor MOSFET canal P -30V -8A SI4435DDY-GE3
Référence produit : SI4435DDY-GE3
Prix dégressifs — Économisez en quantité
| Quantité | Prix unitaire | Economisez |
|---|---|---|
| 1 – 9 | 0.98 € | — |
| 10 – 29 | 0.71 € | -28% |
| 30 – 49 | 0.65 € | -34% |
| 50 – 199 | 0.60 € | -39% |
| 200 – 499 | 0.58 € | -41% |
| 500 – 2499 | 0.56 € | -43% |
| 2500+Meilleur prix | 0.56 € | -43% |
Caractéristiques techniques
5 paramètres| Tension drain-source (Vds) | -30V |
| Courant de drain continu (Id) | -8A |
| Résistance à l'état passant (Rds(on)) | 18mΩ (typ.) à Vgs=-10V |
| Tension de seuil de grille (Vgs(th)) | -1V à -3V |
| Charge de grille (Qg) | 20nC (typ.) |
Description technique du produit (SI4435DDY-GE3):
Transistor MOSFET canal P -30V -8A SI4435DDY-GE3. Transistor MOSFET à canal P conçu pour des applications de commutation de puissance, offrant une faible résistance à l'état passant et une capacité de courant élevée.