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Transistor MOSFET canal P -30V -8A SI4435BDY
Référence produit : SI4435BDY
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|---|---|---|
| 1 – 499 | 0.73 € | — |
| 500+Meilleur prix | 0.60 € | -18% |
Caractéristiques techniques
5 paramètres| Tension drain-source | -30V |
| Courant de drain continu | -8A |
| Résistance à l'état passant (Rds(on)) | 18mΩ à Vgs = -10V |
| Tension de seuil de grille (Vgs(th)) | -1V à -3V |
| Charge de grille (Qg) | 20nC |
Description technique du produit (SI4435BDY):
Transistor MOSFET canal P -30V -8A SI4435BDY. Le SI4435BDY est un MOSFET de puissance à canal P conçu pour des applications de commutation et de gestion de l'énergie. Il offre une faible résistance à l'état passant et une tension de seuil de grille basse, le rendant adapté aux circuits à faible tension.