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Yangjie Electronic Technology
Transistor MOSFET canal P -30V -6A YJJ06P03A
Référence produit : YJJ06P03A
Prix dégressifs — Économisez en quantité
| Quantité | Prix unitaire | Economisez |
|---|---|---|
| 1 – 99 | 0.44 € | — |
| 100 – 199 | 0.16 € | -64% |
| 200 – 499 | 0.14 € | -68% |
| 500 – 999 | 0.13 € | -70% |
| 1000 – 2999 | 0.12 € | -73% |
| 3000+Meilleur prix | 0.11 € | -75% |
Caractéristiques techniques
5 paramètres| Tension drain-source (Vds) | -30V |
| Courant de drain continu (Id) | -6A |
| Résistance à l'état passant (Rds(on)) | 60mΩ à Vgs = -10V |
| Tension de seuil (Vgs(th)) | -1.5V |
| Charge de grille (Qg) | 10nC |
Description technique du produit (YJJ06P03A):
Transistor MOSFET canal P -30V -6A YJJ06P03A. Transistor MOSFET de puissance à canal P, conçu pour les applications de commutation et de gestion de l'énergie.