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Transistor MOSFET canal P -30V -6A SP8M4
Référence produit : SP8M4
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| Quantité | Prix unitaire | Economisez |
|---|---|---|
| 1 – 4 | 3.42 € | — |
| 5+Meilleur prix | 3.30 € | -4% |
Caractéristiques techniques
5 paramètres| Tension drain-source | -30V |
| Courant de drain | -6A |
| Résistance à l'état passant | 38mΩ (typ.) à Vgs=-10V |
| Tension de seuil | -1.8V (typ.) |
| Charge de grille | 12nC (typ.) |
Description technique du produit (SP8M4):
Transistor MOSFET canal P -30V -6A SP8M4. MOSFET de puissance à double canal P, conçu pour la commutation à haute vitesse et les applications de gestion de l'énergie. Il offre une faible résistance à l'état passant.