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ROHM

Transistor MOSFET canal P -30V -6A SP8M2

Référence produit : SP8M2
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Caractéristiques techniques

4 paramètres
Tension drain-source (Vds)-30V
Courant de drain continu (Id)-6A
Résistance à l'état passant (Rds(on))30mΩ (typ.) à Vgs=-10V
Tension de seuil (Vgs(th))-1V à -2.5V

Description technique du produit (SP8M2):

Transistor MOSFET canal P -30V -6A SP8M2. Le SP8M2 est un double MOSFET de puissance à canal P, conçu pour des applications de commutation à haute efficacité. Il intègre deux MOSFETs dans un boîtier compact SOP-8.