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Yangjie Electronic Technology
Transistor MOSFET canal P -30V -5.3A YJS4953B
Référence produit : YJS4953B
Prix dégressifs — Économisez en quantité
| Quantité | Prix unitaire | Economisez |
|---|---|---|
| 1 – 29 | 0.55 € | — |
| 30 – 99 | 0.26 € | -53% |
| 100 – 199 | 0.23 € | -58% |
| 200 – 499 | 0.20 € | -64% |
| 500 – 999 | 0.19 € | -65% |
| 1000 – 3999 | 0.18 € | -67% |
| 4000+Meilleur prix | 0.18 € | -67% |
Caractéristiques techniques
5 paramètres| Tension drain-source | -30V |
| Courant de drain continu | -5.3A |
| Résistance à l'état passant | 30mΩ (max) à Vgs=-10V |
| Tension de seuil de grille | -1V à -3V |
| Charge de grille totale | 15nC (typ) |
Description technique du produit (YJS4953B):
Transistor MOSFET canal P -30V -5.3A YJS4953B. Transistor MOSFET Canal P conçu pour des applications de commutation de puissance et de gestion de charge.