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ROHM

Transistor MOSFET canal P -30V -35A RSQ035P03

Référence produit : RSQ035P03
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Caractéristiques techniques

5 paramètres
Tension drain-source-30V
Courant de drain continu-35A
Résistance à l'état passant (Rds(on))3.5 mΩ (typ.) à Vgs=-10V
Tension de seuil (Vgs(th))-1.0V à -2.5V
Charge de grille (Qg)30 nC (typ.)

Description technique du produit (RSQ035P03):

Transistor MOSFET canal P -30V -35A RSQ035P03. Le RSQ035P03 est un MOSFET de puissance à canal P conçu pour des applications de commutation à haute efficacité. Il offre une faible résistance à l'état passant et une charge de grille optimisée pour minimiser les pertes de commutation.