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Infineon Technologies
Transistor MOSFET canal P -30V -31A IRF5305PBF
Référence produit : IRF5305PBF
Prix dégressifs — Économisez en quantité
| Quantité | Prix unitaire | Economisez |
|---|---|---|
| 1 – 9 | 2.11 € | — |
| 10 – 19 | 1.67 € | -21% |
| 20 – 29 | 1.49 € | -29% |
| 30 – 49 | 1.31 € | -38% |
| 50 – 99 | 1.18 € | -44% |
| 100+Meilleur prix | 1.13 € | -46% |
Caractéristiques techniques
5 paramètres| Tension drain-source | -30V |
| Courant de drain continu | -31A |
| Résistance à l'état passant (Rds(on)) | 60 mOhm à Vgs = -10V |
| Tension de seuil (Vgs(th)) | -2V à -4V |
| Charge de grille (Qg) | 50 nC |
Description technique du produit (IRF5305PBF):
Transistor MOSFET canal P -30V -31A IRF5305PBF. MOSFET de puissance à canal P conçu pour des applications de commutation rapide et de gestion de puissance.