En stock
Vishay
Transistor MOSFET canal P -30V -2.6A SI2307BDS
Référence produit : SI2307BDS
Prix dégressifs — Économisez en quantité
| Quantité | Prix unitaire | Economisez |
|---|---|---|
| 1 – 99 | 2.83 € | — |
| 100+Meilleur prix | 1.84 € | -35% |
Caractéristiques techniques
5 paramètres| Tension drain-source | -30V |
| Courant de drain continu | -2.6A |
| Résistance à l'état passant | 85mΩ (max) à Vgs=-10V |
| Tension de seuil de grille | -0.45V à -1.0V |
| Charge de grille | 6.5nC (typ) |
Description technique du produit (SI2307BDS):
Transistor MOSFET canal P -30V -2.6A SI2307BDS. Le SI2307BDS est un transistor MOSFET à canal P conçu pour des applications de commutation de puissance à faible tension. Il offre une faible résistance à l'état passant et une commutation rapide, le rendant idéal pour la gestion de l'alimentation dans les appareils portables.