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Transistor MOSFET canal P -30V -13.5A FDS4435BZ
Référence produit : FDS4435BZ
Prix dégressifs — Économisez en quantité
| Quantité | Prix unitaire | Economisez |
|---|---|---|
| 1 – 9 | 1.84 € | — |
| 10 – 49 | 1.14 € | -38% |
| 50 – 99 | 1.02 € | -45% |
| 100 – 199 | 0.98 € | -47% |
| 200+Meilleur prix | 0.96 € | -48% |
Caractéristiques techniques
5 paramètres| Tension drain-source (Vds) | -30V |
| Courant de drain continu (Id) | -13.5A |
| Résistance à l'état passant (Rds(on)) | 10.5mΩ (max) à Vgs=-10V |
| Tension de seuil (Vgs(th)) | -1V à -3V |
| Charge de grille (Qg) | 30nC (typ) |
Description technique du produit (FDS4435BZ):
Transistor MOSFET canal P -30V -13.5A FDS4435BZ. Le FDS4435BZ est un MOSFET de puissance à canal P conçu pour les applications de commutation de charge et de gestion de l'alimentation. Il offre une faible résistance à l'état passant et une vitesse de commutation rapide.