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Yangjie Electronic Technology
Transistor MOSFET canal P -30V -10A YJS4435B
Référence produit : YJS4435B
Prix dégressifs — Économisez en quantité
| Quantité | Prix unitaire | Economisez |
|---|---|---|
| 1 – 29 | 0.50 € | — |
| 30 – 99 | 0.23 € | -54% |
| 100 – 199 | 0.20 € | -60% |
| 200 – 499 | 0.18 € | -64% |
| 500 – 999 | 0.17 € | -66% |
| 1000 – 3999 | 0.17 € | -66% |
| 4000+Meilleur prix | 0.17 € | -66% |
Caractéristiques techniques
5 paramètres| Tension drain-source | -30V |
| Courant de drain continu | -10A |
| Résistance à l'état passant | 20mΩ |
| Tension de seuil de grille | -1.5V |
| Charge de grille | 15nC |
Description technique du produit (YJS4435B):
Transistor MOSFET canal P -30V -10A YJS4435B. Transistor MOSFET à canal P en mode d'enrichissement, conçu pour des applications de commutation de puissance. Il offre une faible résistance à l'état passant et une commutation rapide.