En stock
Vishay Siliconix
Transistor MOSFET canal P -30V -10A SI4435DDY-T1-GE3
Vendu par lot de 5 (le prix affiché est pour un lot de 5)
Référence produit : SI4435DDY-T1-GE3
Prix dégressifs — Économisez en quantité
| Quantité | Prix unitaire | Economisez |
|---|---|---|
| 1 – 1 | 6.16 € | — |
| 2 – 9 | 5.93 € | -4% |
| 10 – 39 | 5.29 € | -14% |
| 40 – 199 | 4.90 € | -20% |
| 200+Meilleur prix | 4.45 € | -28% |
Caractéristiques techniques
5 paramètres| Tension drain-source | -30V |
| Courant de drain continu | -10A |
| Résistance à l'état passant (Rds(on)) | 10 mOhm (max) à Vgs=-10V |
| Tension de seuil de grille (Vgs(th)) | -1V à -2.5V |
| Charge de grille (Qg) | 20 nC (typ) à Vgs=-10V |
Description technique du produit (SI4435DDY-T1-GE3):
Transistor MOSFET canal P -30V -10A SI4435DDY-T1-GE3. Transistor MOSFET à canal P conçu pour des applications de commutation de puissance, offrant une faible résistance à l'état passant et une capacité de courant élevée dans un boîtier compact PowerPAK SO-8.
. Vendu par lot de 5 (le prix affiché est pour un lot de 5)