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Vishay (siliconix)

Transistor MOSFET canal P -20V -5.3A SI9410BDY-E3

Référence produit : SI9410BDY-E3
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Caractéristiques techniques

5 paramètres
Tension drain-source-20 V
Courant de drain continu-5.3 A
Résistance à l'état passant Rds(on)30 mΩ (max) à Vgs = -4.5 V
Tension de seuil de grille Vgs(th)-0.45 V à -1.0 V
Charge de grille Qg15 nC (typique)

Description technique du produit (SI9410BDY-E3):

Transistor MOSFET canal P -20V -5.3A SI9410BDY-E3. Le SI9410BDY-E3 est un transistor MOSFET à canal P conçu pour des applications de commutation de puissance. Il offre une faible résistance à l'état passant et une tension de seuil de grille basse, le rendant adapté aux circuits de gestion de puissance et aux convertisseurs DC-DC.