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Transistor MOSFET canal P -20V -4.5A IRF9952QPBF

Référence produit : IRF9952QPBF
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Caractéristiques techniques

5 paramètres
Tension drain-source-20V
Courant de drain-4.5A
Résistance à l'état passant30 mOhm (typ.) @ Vgs=-4.5V
Tension de seuil-1.2V à -2.5V
Charge de grille10 nC (typ.)

Description technique du produit (IRF9952QPBF):

Transistor MOSFET canal P -20V -4.5A IRF9952QPBF. MOSFET de puissance à canal P conçu pour les applications de commutation et de gestion de l'énergie. Il offre une faible résistance à l'état passant et une charge de grille optimisée pour des performances efficaces.