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Transistor MOSFET canal P -20V -4.3A SI9407BDY

Référence produit : SI9407BDY
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Caractéristiques techniques

6 paramètres
Tension drain-source (Vds)-20V
Courant de drain continu (Id)-4.3A
Résistance à l'état passant (Rds(on))45mΩ (max) à Vgs=-4.5V
Tension de seuil (Vgs(th))-0.45V à -1.0V
Charge de grille (Qg)12nC (typique)
BoîtierSO-8

Description technique du produit (SI9407BDY):

Transistor MOSFET canal P -20V -4.3A SI9407BDY. Le SI9407BDY est un transistor MOSFET à canal P conçu pour des applications de commutation de puissance à faible tension. Il offre une faible résistance à l'état passant et une commutation rapide, le rendant idéal pour la gestion de l'énergie dans les systèmes portables.