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Transistor MOSFET canal P -20V -3.9A SI2315BDS-T1-E3
Référence produit : SI2315BDS-T1-E3
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| Quantité | Prix unitaire | Economisez |
|---|---|---|
| 1 – 99 | 0.79 € | — |
| 100+Meilleur prix | 0.65 € | -18% |
Caractéristiques techniques
5 paramètres| Tension drain-source | -20V |
| Courant de drain continu | -3.9A |
| Résistance à l'état passant (Rds(on)) | 40mΩ (typ) à Vgs=-4.5V |
| Tension de seuil (Vgs(th)) | -0.4V à -1.0V |
| Charge de grille (Qg) | 10nC (typ) |
Description technique du produit (SI2315BDS-T1-E3):
Transistor MOSFET canal P -20V -3.9A SI2315BDS-T1-E3. Le SI2315BDS-T1-E3 est un MOSFET de puissance à canal P conçu pour des applications de commutation et de gestion de puissance. Il offre une faible résistance à l'état passant et une tension de seuil basse, le rendant idéal pour les circuits à faible tension et les applications portables.