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Transistor MOSFET canal P -20V -3.8A SI2333CDS-T1-GE3
Référence produit : SI2333CDS-T1-GE3
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| Quantité | Prix unitaire | Economisez |
|---|---|---|
| 1+Meilleur prix | 1.26 € | — |
Caractéristiques techniques
5 paramètres| Tension drain-source (Vds) | -20V |
| Courant de drain continu (Id) | -3.8A |
| Résistance à l'état passant (Rds(on)) | 50mΩ (typ) @ Vgs=-4.5V |
| Tension de seuil (Vgs(th)) | -0.45V à -1.0V |
| Charge de grille (Qg) | 10.5nC (typ) |
Description technique du produit (SI2333CDS-T1-GE3):
Transistor MOSFET canal P -20V -3.8A SI2333CDS-T1-GE3. Le SI2333CDS-T1-GE3 est un transistor MOSFET à canal P conçu pour des applications de commutation de faible puissance. Il offre une faible résistance à l'état passant et une tension de seuil basse, le rendant idéal pour la gestion de l'alimentation et la commutation de charge dans les systèmes portables.