En stock
Vishay
Transistor MOSFET canal P -20V -3.6A SI2319CDS-T1-GE3
Référence produit : SI2319CDS-T1-GE3
Prix dégressifs — Économisez en quantité
| Quantité | Prix unitaire | Economisez |
|---|---|---|
| 1 – 99 | 0.83 € | — |
| 100+Meilleur prix | 0.67 € | -19% |
Caractéristiques techniques
5 paramètres| Tension drain-source | -20 V |
| Courant de drain | -3.6 A |
| Résistance à l'état passant | 50 mOhm |
| Tension de seuil | -0.45 V à -1.0 V |
| Charge de grille | 10 nC |
Description technique du produit (SI2319CDS-T1-GE3):
Transistor MOSFET canal P -20V -3.6A SI2319CDS-T1-GE3. Transistor MOSFET à canal P conçu pour la commutation de puissance dans les applications de gestion de batterie et de commutation de charge. Il offre une faible résistance à l'état passant et une tension de seuil basse.