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Onsemi (fairchild)
Transistor MOSFET canal P -20V -3.5A FDC638P
Référence produit : FDC638P
Prix dégressifs — Économisez en quantité
| Quantité | Prix unitaire | Economisez |
|---|---|---|
| 1 – 99 | 1.26 € | — |
| 100 – 499 | 1.13 € | -10% |
| 500+Meilleur prix | 1.00 € | -21% |
Caractéristiques techniques
5 paramètres| Tension drain-source (Vds) | -20V |
| Courant de drain continu (Id) | -3.5A |
| Résistance à l'état passant (Rds(on)) | 50mΩ (typ.) à Vgs = -4.5V |
| Tension de seuil (Vgs(th)) | -0.45V à -1.0V |
| Charge de grille (Qg) | 10nC (typ.) |
Description technique du produit (FDC638P):
Transistor MOSFET canal P -20V -3.5A FDC638P. Le FDC638P est un MOSFET de puissance à canal P conçu pour les applications de commutation de charge et de gestion de l'alimentation dans les systèmes portables.