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Transistor MOSFET canal P -20V -20A NDP6020P

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Caractéristiques techniques

5 paramètres
Tension drain-source-20 V
Courant de drain continu-20 A
Résistance à l'état passant50 mΩ
Tension de seuil-1 V à -3 V
Charge de grille20 nC

Description technique du produit (NDP6020P):

Transistor MOSFET canal P -20V -20A NDP6020P. Transistor MOSFET de puissance à canal P, conçu pour des applications de commutation rapide et de gestion de puissance. Il offre une faible résistance à l'état passant et une tension de seuil de grille optimisée.