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Transistor MOSFET canal P -20V -2.6A SI2307CDS
Référence produit : SI2307CDS
Prix dégressifs — Économisez en quantité
| Quantité | Prix unitaire | Economisez |
|---|---|---|
| 1 – 29 | 0.53 € | — |
| 30 – 99 | 0.24 € | -55% |
| 100 – 199 | 0.22 € | -58% |
| 200 – 499 | 0.19 € | -64% |
| 500 – 999 | 0.18 € | -66% |
| 1000 – 2999 | 0.18 € | -66% |
| 3000+Meilleur prix | 0.18 € | -66% |
Caractéristiques techniques
6 paramètres| Tension drain-source | -20V |
| Courant de drain continu | -2.6A |
| Résistance à l'état passant | 85mΩ (typ) à Vgs=-4.5V |
| Tension de seuil | -0.45V à -1V |
| Charge de grille | 5.5nC (typ) |
| Boîtier | SOT-23 |
Description technique du produit (SI2307CDS):
Transistor MOSFET canal P -20V -2.6A SI2307CDS. Le SI2307CDS est un transistor MOSFET à canal P en mode d'enrichissement, conçu pour des applications de commutation de faible puissance.