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Transistor MOSFET canal P -20V -2.6A SI2307BDS-T1-BE3
Référence produit : SI2307BDS-T1-BE3
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| Quantité | Prix unitaire | Economisez |
|---|---|---|
| 1+Meilleur prix | 2.52 € | — |
Caractéristiques techniques
5 paramètres| Tension drain-source | -20 V |
| Courant de drain continu | -2.6 A |
| Résistance à l'état passant Rds(on) | 60 mΩ à Vgs = -4.5 V |
| Tension de seuil Vgs(th) | -0.45 V à -1.0 V |
| Charge de grille Qg | 10.5 nC |
Description technique du produit (SI2307BDS-T1-BE3):
Transistor MOSFET canal P -20V -2.6A SI2307BDS-T1-BE3. Le SI2307BDS-T1-BE3 est un transistor MOSFET à canal P conçu pour des applications de commutation de faible puissance et de gestion de l'énergie. Il offre une faible résistance à l'état passant et une tension de seuil basse, le rendant adapté aux circuits alimentés par batterie.