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Fairchild
Transistor MOSFET canal P -20V -2.5A FDN358P
Référence produit : FDN358P
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| Quantité | Prix unitaire | Economisez |
|---|---|---|
| 1 – 99 | 0.64 € | — |
| 100+Meilleur prix | 0.59 € | -8% |
Caractéristiques techniques
5 paramètres| Tension drain-source | -20V |
| Courant de drain continu | -2.5A |
| Résistance à l'état passant | 65 mΩ à Vgs = -4.5V |
| Tension de seuil | -0.45V à -1.0V |
| Charge de grille typique | 6.5 nC |
Description technique du produit (FDN358P):
Transistor MOSFET canal P -20V -2.5A FDN358P. Le FDN358P est un MOSFET de puissance à canal P conçu pour des applications de commutation de charge et de gestion de l'énergie dans des systèmes compacts.