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Infineon
Transistor MOSFET canal P -20V -2.2A NTR4101PT1G
Vendu par lot de 20 (le prix affiché est pour un lot de 20)
Référence produit : NTR4101PT1G
Prix dégressifs — Économisez en quantité
| Quantité | Prix unitaire | Economisez |
|---|---|---|
| 1 – 1 | 5.45 € | — |
| 2 – 9 | 4.94 € | -9% |
| 10 – 49 | 4.40 € | -19% |
| 50 – 149 | 4.03 € | -26% |
| 150+Meilleur prix | 3.82 € | -30% |
Caractéristiques techniques
5 paramètres| Tension drain-source (Vds) | -20V |
| Courant de drain continu (Id) | -2.2A |
| Résistance à l'état passant (Rds(on)) | 80 mΩ à Vgs = -4.5V |
| Tension de seuil de grille (Vgs(th)) | -0.4V à -1.0V |
| Charge de grille (Qg) | 4.5 nC |
Description technique du produit (NTR4101PT1G):
Transistor MOSFET canal P -20V -2.2A NTR4101PT1G. Transistor MOSFET à canal P conçu pour des applications de commutation de charge et de gestion de l'énergie dans des systèmes portables.
. Vendu par lot de 20 (le prix affiché est pour un lot de 20)