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Transistor MOSFET canal P -20V -10A SI4425BDY
Référence produit : SI4425BDY
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| Quantité | Prix unitaire | Economisez |
|---|---|---|
| 1+Meilleur prix | 1.81 € | — |
Caractéristiques techniques
5 paramètres| Tension drain-source | -20 V |
| Courant de drain continu | -10 A |
| Résistance à l'état passant Rds(on) | 12.5 mOhm (typ. à Vgs = -4.5V) |
| Tension de seuil Vgs(th) | -0.45 V à -1.0 V |
| Charge de grille Qg | 20 nC (typ.) |
Description technique du produit (SI4425BDY):
Transistor MOSFET canal P -20V -10A SI4425BDY. Transistor MOSFET à canal P conçu pour la commutation de puissance dans les applications basse tension. Il offre une faible résistance à l'état passant et une charge de grille optimisée.