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Transistor MOSFET canal P -20V -10A SI4401BDY

Référence produit : SI4401BDY
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Caractéristiques techniques

5 paramètres
Tension drain-source-20 V
Courant de drain continu-10 A
Résistance à l'état passant10.5 mΩ (à Vgs = -4.5 V)
Tension de seuil de grille-0.45 V à -1.2 V
Charge de grille typique20 nC

Description technique du produit (SI4401BDY):

Transistor MOSFET canal P -20V -10A SI4401BDY. Transistor MOSFET à canal P conçu pour des applications de commutation de puissance. Il offre une faible résistance à l'état passant et une tension de seuil basse, le rendant adapté aux circuits de gestion de puissance et aux applications portables.