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Fairchild

Transistor MOSFET canal P -20V -1.6A FDN338P

Référence produit : FDN338P
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Caractéristiques techniques

5 paramètres
Tension drain-source-20V
Courant de drain continu-1.6A
Résistance à l'état passant (Rds(on))100 mΩ (typ.)
Tension de seuil de grille (Vgs(th))-0.45V à -1.5V
Charge de grille (Qg)4.5 nC (typ.)

Description technique du produit (FDN338P):

Transistor MOSFET canal P -20V -1.6A FDN338P. MOSFET de puissance à canal P, conçu pour des applications de commutation de charge et de gestion de puissance dans des systèmes compacts.