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Onsemi (fairchild)
Transistor MOSFET canal P -20V -1.6A FDN306P
Référence produit : FDN306P
Prix dégressifs — Économisez en quantité
| Quantité | Prix unitaire | Economisez |
|---|---|---|
| 1 – 24 | 0.85 € | — |
| 25 – 99 | 0.68 € | -20% |
| 100 – 499 | 0.60 € | -29% |
| 500+Meilleur prix | 0.48 € | -44% |
Caractéristiques techniques
5 paramètres| Tension drain-source | -20V |
| Courant de drain | -1.6A |
| Résistance à l'état passant | 0.11 Ohm |
| Tension de seuil | -0.7V |
| Charge de grille | 4.5 nC |
Description technique du produit (FDN306P):
Transistor MOSFET canal P -20V -1.6A FDN306P. Transistor MOSFET à canal P conçu pour des applications de commutation de faible puissance. Il offre une faible résistance à l'état passant et une tension de seuil basse, le rendant idéal pour les circuits portables et la gestion de l'alimentation.