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Diodes Inc.

Transistor MOSFET canal P -20V -0.13A BSS8402DW

Référence produit : BSS8402DW
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Caractéristiques techniques

5 paramètres
Tension drain-source (Vds)-20V
Courant de drain continu (Id)-130mA
Résistance à l'état passant (Rds(on))1.5 Ohm (typ.) à Vgs = -4.5V
Tension de seuil (Vgs(th))-0.4V à -1.0V
Charge de grille (Qg)0.5nC (typ.)

Description technique du produit (BSS8402DW):

Transistor MOSFET canal P -20V -0.13A BSS8402DW. Le BSS8402DW est un double transistor MOSFET à canal P, conçu pour des applications de commutation et de gestion de puissance à faible courant. Il offre une faible résistance à l'état passant et une tension de seuil basse, le rendant idéal pour les circuits portables et les applications à espace restreint.